在当今高度集成的电子系统中，一颗芯片的失效可能引发整机甚至整系统的崩溃。尤其在汽车电子、工业控制、通信设备等关键领域，芯片必须经受住电源浪涌、热插拔、静电放电等极端电气应力的考验。芯片级EOS（Electrical Overstress，电气过应力）测试，正是评估芯片在非正常电气条件下生存能力的关键手段。它不仅是合规性的门槛，更是产品可靠性的试金石。
什么是芯片级 EOS 测试？
EOS 测试模拟芯片在实际应用中可能遭遇的瞬态高能量电气事件——如电网波动、雷击耦合、热插拔冲击等，通过施加可控的浪涌或脉冲应力，验证芯片是否能在极端条件下保持功能完整性，或在失效前提供可预测的退化行为。
与 ESD（静电放电）测试聚焦纳秒级、低能量事件不同，EOS 事件能量更高、持续时间更长（微秒至毫秒级），对芯片造成的损伤往往是热击穿或金属熔融，更具破坏性。
服务范围：全品类覆盖，从晶圆到系统
我们的 EOS 测试能力覆盖半导体产业链多个环节：
- 集成电路（IC）：数字、模拟、混合信号芯片
- 分立器件：MOSFET、二极管、IGBT 等
- 功率模块：SiC、GaN 模块，车规级功率器件
- 晶圆级测试：支持探针台对接，实现早期失效筛查
- 系统级产品：主板、电源模块等整机级浪涌验证
无论您处于研发验证、量产抽检还是失效分析阶段，均可定制测试方案。
核心测试能力与设备参数
浪涌测试（Surge Testing）
依据 IEC 61000-4-5:2017 与 GB/T 17626.5-2019 标准，采用可编程雷击浪涌发生器：
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 脉冲波形 | 电压：1.2/50 μs，电流：8/20 μs |
| 电压范围 | ±3 V 至 ±1000 V |
| 短路电流 | 最高达 ±500 A（内阻 ≤ 2Ω） |
| 合规标准 | IEC 61000-4-5, GB/T 17626.5 |
可编程脉冲源测试
适用于更精细的 EOS 模拟场景（如热插拔、电源跌落）：
- 脉冲宽度：500 μs、1 ms、3 ms、5 ms、10 ms 等可调
- 最大输出能力：3 A @ 100 V，30 A @ 30 V
- 支持方波、梯形波等多种波形定制
为什么 EOS 测试不可或缺？
- ✅ 提前暴露设计缺陷：识别电源钳位电路、ESD 保护结构的薄弱点
- ✅ 避免现场失效风险：防止芯片在终端应用中因浪涌导致灾难性故障
- ✅ 加速产品认证：满足车规（AEC-Q100）、工业、通信等行业准入要求
- ✅ 缩短研发周期：通过早期可靠性验证，减少后期返工成本
案例提示：未通过 EOS 测试的电源管理芯片，在车载环境中遭遇点火浪涌时可能瞬间烧毁，导致整车功能异常——此类风险完全可通过芯片级 EOS 测试前置规避。
测试流程与周期
- 标准周期：1~3 个工作日（加急服务可支持）
- 资质保障：CNAS 认可实验室，数据具国际公信力
- 交付内容：测试报告、失效分析建议、波形原始数据（可选）
总结
芯片级 EOS 测试已从“可选项”转变为“必选项”，尤其在高可靠性应用场景中。它不仅是符合国际标准的合规动作，更是企业构建产品信任、降低售后风险、提升市场竞争力的战略投资。通过精准模拟真实世界中的电气过应力，企业能在产品上市前锁定隐患，确保“一次就对”。
深圳德恺专注于半导体可靠性测试领域，提供芯片级 EOS、ESD、TLP、功率循环、老炼测试等全流程服务。依托 CNAS 认可实验室与资深工程团队，我们为消费电子、新能源汽车、工业控制等行业的客户提供定制化、高精度的检测解决方案，助力芯片从实验室走向可靠量产。
