在摩尔定律持续演进的今天，半导体工艺已迈入5nm、3nm时代。晶体管尺寸不断缩小，金属互连层愈发精密，芯片对静电放电（ESD）的敏感度却急剧上升。一次不经意的人体接触，就可能释放数千伏静电，足以击穿纳米级栅氧层，造成永久性损伤。芯片流片后若因ESD失效，不仅意味着高昂的返工成本，更可能导致产品上市延期甚至市场信誉受损。因此，芯片级ESD测试已成为集成电路设计验证与量产准入不可或缺的关键环节。
为什么ESD测试如此关键？
- 工艺越先进，ESD越脆弱：7nm以下节点中，栅氧厚度仅几个原子层，耐压能力大幅下降。
- 失效模式隐蔽：部分ESD损伤表现为参数漂移或寿命缩短，难以通过功能测试发现。
- 车规/工业级要求严苛：AEC-Q100、ISO 10605等标准强制要求通过多模型ESD验证。
- 早期发现，成本最低：在设计或晶圆阶段识别ESD薄弱点，可避免封装后大规模失效。
全面覆盖主流ESD测试模型
我们提供国际通行的四大静电放电测试模型，精准模拟真实使用场景中的静电威胁：
🔌 HBM（人体放电模型）
模拟人体接触器件时的放电过程，是最常用的ESD评估方法。
标准支持：AEC-Q100-002、JS-001、MIL-STD-883 Method 3015.9
⚡ CDM（充电器件模型）
模拟器件自身带电后接触接地导体的放电，对高速自动化产线尤为重要。
标准支持：AEC-Q100-011、JS-002
🤖 MM（机器模型）
模拟金属设备（如机械臂）放电，电压上升更快，能量更高。
标准支持：JESD22-A115C、GJB 128B-2021
📡 TLP & VFTLP（传输线脉冲）
非破坏性I-V特性分析工具，用于ESD保护电路设计验证与失效机理研究。
标准支持：ANSI/ESD STM5.5.1-2022
服务范围：覆盖全类型半导体器件
| 器件类型 | 说明 |
|---|---|
| 集成电路（IC） | 数字/模拟/混合信号芯片 |
| 光模块 | 高速光通信收发芯片与组件 |
| 分立器件 | MOSFET、二极管、IGBT等 |
| 裸DIE（晶圆级） | 支持探针台直接测试，助力早期验证 |
国际国内权威标准全覆盖
我们严格遵循以下标准体系，确保测试结果全球认可：
- 国际标准：AEC-Q100 / Q101、JEDEC JS-001 / JS-002、IEC 61000-4-2、ISO 10605
- 军用标准：GJB 548C-2021 Method 3015.1、GJB 128B-2021 Method 1020
- 行业规范：MIL-STD-883、JESD22-A115C
所有测试均在CNAS认可实验室完成，数据具备法律效力与国际互认基础。
先进设备矩阵，精准高效交付
| 设备型号 | 厂家 | 核心能力 |
|---|---|---|
| MK.2TE | 赛默飞世尔 | HBM/MM测试，768通道，支持Latch-up |
| MK.4TE | 赛默飞世尔 | 高通道数（2304）、大电流（10A@30V），适用于电源管理IC |
| Orion3 | 赛默飞世尔 | CDM测试，25V~2000V精细步进 |
| TLP | HPPI（德国） | 100ns脉宽，±2000V，40A输出 |
| VFTLP | ESDEMC | 超快脉冲（1ns起），上升沿低至0.1ns，适配先进CMOS工艺 |
测试周期：3~7个工作日，支持加急服务。
总结：ESD测试是芯片可靠性的“第一道防线”
在半导体向更高集成度、更低功耗演进的当下，ESD防护已不再是“可选项”，而是产品能否通过车规、工规、军工等严苛认证的必经门槛。通过芯片级ESD测试，企业不仅能提前识别设计缺陷、优化保护电路，更能显著降低量产风险与售后成本，为产品赢得市场信任奠定坚实基础。
深圳德恺专注于半导体可靠性检测，已获得CNAS等多项权威资质。我们提供从晶圆级到封装级的全链条ESD测试服务，涵盖HBM、CDM、MM、TLP、VFTLP等全模型，严格对标AEC-Q100、JEDEC、GJB等国际国内标准。依托先进的赛默飞世尔、HPPI、ESDEMC设备平台，我们致力于为芯片设计公司、IDM、封测厂提供高效、精准、可信赖的静电防护验证解决方案。
