在先进制程芯片、第三代半导体及新型材料研发与失效分析的赛道上，样品制备的精度直接决定后续分析成败。双束聚焦离子束显微镜（Dual-Beam Focused Ion Beam, DB-FIB）凭借其纳米级定位切割能力与高保真截面加工精度，已成为透射电镜（TEM）样品制备与失效分析（FA）不可或缺的核心工具。
作为微观世界“精雕师”，DB-FIB 不仅能对硅基芯片进行精准截面加工，还能应对 GaAs、GaN、SiC 等硬脆非硅材料，甚至锂电、石墨烯等前沿新材料的特殊制样需求。本文将深入解析 DB-FIB 的核心应用、服务范围与技术优势，助您高效推进研发与失效分析进程。
一、DB-FIB 的三大核心应用场景
1. TEM 超薄样品制备：从芯片到新材料，精准“切片”
TEM 分析要求样品厚度通常小于100纳米，传统机械研磨易引入损伤，而 DB-FIB 可实现无损、定点、超薄的样品制备。
| 检测项目 | 报价单位 | 适用样品 |
|---|---|---|
| 硅基样品 XS（截面）制样 | 颗（ea） | 14nm 及以下先进制程芯片；28/40/55nm+ 成熟制程 |
| 硅基样品 PV（平面）制样 | 颗（ea） | 同上 |
| 非硅基样品 XS/PV 制样 | 小时（h） | GaAs、GaN、SiC 等化合物半导体 |
| 特殊材料制样 | 小时（h） | 锂电池材料、石墨烯电极、二维材料等 |
注：XS = Cross-Section（截面），PV = Plan View（平面）
2. FA 热点截面分析：从“定位”到“验证”一站式闭环
在芯片失效分析中，精准定位电性异常点（热点）是关键。我们整合 OBIRCH、TIVA 等电性定位技术，结合 DB-FIB 定点截面，实现：
- 热点精确定位（精度可达纳米级）
- 原位截面暴露缺陷
- SEM/EDS 后续形貌与成分分析
适用样品：Wafer、IC、MEMS、激光器、功率器件等半导体元器件。
3. 常规截面加工：灵活应对多类需求
无论是否需电性定位，DB-FIB 均可提供高精度截面：
- 定点截面加工：基于坐标或光学/SEM 图像精确定位
- 非定点截面加工：用于工艺验证、结构观察等通用场景
- 覆盖样品*：半导体器件、PCB、封装体、新型功能材料等。
二、为什么选择专业 DB-FIB 服务？
✅ 专业团队：懂工艺，更懂失效
技术工程师具备先进制程晶圆厂实战经验，深刻理解 FinFET、GAA、3D NAND 等结构对制样的严苛要求，确保样品“切得准、看得清”。
✅ 全流程能力：从接收到报告，高效闭环
从样品接收、定位、FIB 切割、TEM 送样到报告出具，全流程自主可控，避免多平台交接导致的信息断层与延误。
✅ 场景全覆盖：硅基、非硅基、新材料通吃
无论是 3nm 芯片的 Fin 结构，还是 SiC 功率模块的硬脆界面，亦或固态电池的多层电极，我们均有成熟制样方案。
✅ 极速响应：紧急项目12小时交付
标准周期：3 个自然日
加急选项：48h / 24h / 12h 极速通道（按需定制报价）
三、送样须知：确保检测顺利进行
为保障 DB-FIB 加工效果与设备安全，请注意：
- ❌ 样品不得含液体或挥发性成分（需完全干燥）
- ⚠️ 有机物、高分子材料需提前评估（部分在离子束下易碳化或变形）
- 📏 尺寸建议：≤10cm × 10cm × 5cm（过大需预处理）
总结：DB-FIB——微观分析的“金钥匙”
DB-FIB 双束系统已从单纯的样品制备工具，进化为集成失效定位、纳米加工与原位分析的综合平台。在先进半导体、化合物器件与新材料研发中，其价值不可替代。选择具备工艺理解力、设备稳定性与全流程能力的服务商，是确保数据可靠、项目高效的关键。
深圳德恺专注于半导体及先进材料的高精度检测与失效分析服务，配备 DB-FIB、TEM、SEM、AFM 等全套高端设备，覆盖从晶圆级到封装级的全链条分析需求。我们为芯片设计公司、IDM、封测厂及科研机构提供专业、快速、可信赖的技术支持。欢迎垂询定制化检测方案。
