在先进半导体制造与失效分析领域，对微观结构的精准观测与可控加工已成为技术突破的关键。传统镓离子FIB（Ga⁺-FIB）受限于加工速度与离子污染问题，难以满足3D NAND、DRAM、MEMS等高密度器件对大尺寸、高质量截面的需求。而PFIB（Plasma Focused Ion Beam，等离子体聚焦离子束）技术的出现，正重新定义半导体微纳加工的效率与精度边界。
什么是PFIB？
PFIB利用氙等离子体（Xe⁺）作为离子源，相比传统Ga⁺离子，具有更高束流、更低损伤、更快加工速度三大核心优势。其离子束流可达传统FIB的20–50倍，可在数分钟内完成数十微米尺度的截面切割，同时显著降低离子注入污染，尤其适用于对洁净度要求严苛的先进制程样品。
PFIB能做什么？核心服务一览
我们提供基于PFIB平台的多项高精度微纳加工与分析服务，覆盖主流半导体器件类型：
主要检测项目与适用样品
| 检测项目 | 报价单位 | 适用样品类型 |
|---|---|---|
| 截面加工 & 量测 | 小时（h） | 3D NAND、DRAM、MEMS等半导体器件；需大尺寸（>50μm）加工的样品 |
| 大尺寸TEM XS（截面）制样 | 小时（h） | 同上 |
| 大尺寸TEM PV（平面）制样 | 小时（h） | 同上 |
| 微加工（刻蚀或沉积） | 小时（h） | 同上 |
| 去层分析（Delayer） | 小时（h） | 热点区域定位与逐层剥离分析 |
注：所有服务均支持大尺寸、高深宽比结构的高保真加工需求。
为什么选择PFIB？三大核心优势
1. 专业团队，经验丰富
技术团队平均拥有5年以上电镜与FIB实操经验，熟悉各类半导体器件结构，可精准定位分析区域，避免无效加工。
2. 先进设备，高通量高质
配备新一代PFIB系统，支持高束流Xe⁺等离子体源，实现微米级结构分钟级加工，显著提升研发与失效分析效率。
3. 无污染TEM制样工艺
采用500V低能离子终抛工艺，有效消除Ga⁺污染，制备出满足原子级成像要求的高质量TEM样品，适用于先进制程（如5nm以下）材料分析。
快速响应，灵活交付
我们理解半导体研发与产线问题的紧迫性。因此提供多级时效服务：
- 常规交付：3个自然日
- 加急选项：48小时 / 24小时 / 12小时（需定制报价）
无论您是进行工艺开发、良率提升还是失效定位，我们都能匹配您的时间窗口。
总结
PFIB技术凭借其高通量、低损伤、大尺寸加工能力，已成为3D NAND、DRAM、MEMS等先进半导体器件分析不可或缺的工具。从截面制备到TEM样品加工，再到精准去层分析，PFIB不仅提升效率，更保障数据可靠性，为研发与量产提供坚实支撑。
深圳德恺专注于半导体先进封装与前道工艺的失效分析与材料检测服务，配备PFIB、SEM、TEM、AFM、EDS等全套分析平台，为客户提供从样品制备到数据解读的一站式解决方案。如需了解PFIB服务详情或获取定制化报价，欢迎联系我们。
