在功率半导体（MOSFET, IGBT）的数据手册中，Vgs(th) 或 VGE(th) 往往排在静态参数的第一行。这就是阈值电压（Threshold Voltage），俗称“开启电压”。对于电路设计者来说，Vth决定了驱动电路的电压设计；对于器件制造者来说，Vth是监控栅极氧化层工艺质量的核心指标。
什么是阈值电压（Vth）？
简单来说，Vth就是让器件“刚刚导通”时，栅极（Gate）和源极（Source）之间所需的最小电压。
在物理层面，它是指栅极电压产生的电场强度足以在半导体表面吸附少子，形成导电沟道（反型层）时的临界电压。
如何准确测量Vth？
工业界最通用的测量方法是恒流模式（Constant Current Mode），即把栅极和漏极短接（Vgs = Vds），测量当漏极流过特定微小电流（通常为250μA或1mA）时的电压。
测试步骤：
- 连接电路： 将MOSFET的栅极(G)与漏极(D)短接。
- 施加电流： 从源测量单元（SMU）向漏极注入规定的参考电流 $I_{ref}$（如250μA）。
- 读取电压： 此时测得的 $V_{ds}$ 即为 $V_{th}$。
Vth的温度特性：负温度系数
这是一个经常被忽视但极其重要的特性：温度越高，Vth越低。
通常Vth的温度系数约为 -2mV/℃ 到 -5mV/℃。这意味着在高温下，器件更容易被误导通。在设计大功率并联电路时，如果热平衡设计不好，Vth较低的管子会先导通并承担更多电流，导致更热，Vth进一步降低，最终形成热失控（Thermal Runaway）。
迟滞效应 (Hysteresis)
值得注意的是，部分宽禁带器件（如SiC MOSFET）由于栅氧界面陷阱电荷的存在，Vth可能会出现迟滞现象（开启电压和关断电压不完全重合），测试时需采用特定的脉冲扫描方式以获得准确值。
总结
Vth不仅是一个开关阈值，更是反映器件栅极健康状况的晴雨表。准确测量Vth并理解其温度漂移特性，对于预防误触发和优化并联均流设计至关重要。
深圳德垲专注于半导体功率器件的静态参数测试。我们配备了高精度的源测量单元及温控探针台，能够执行从常温到高温（175℃）的Vth精准测量，并支持对SiC/GaN器件进行BTI（偏置温度不稳定性）引起的Vth漂移评估。
