在新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高可靠性应用场景中，半导体分立器件的长期稳定性和失效风险控制至关重要。尽管国产功率器件产能快速提升，但良率与可靠性仍普遍落后于国际大厂。要真正实现“国产替代”，不仅需要工艺突破，更需通过规模化、标准化、贴近真实工况的可靠性验证来赢得市场信任。其中，老炼（Burn-in）与各类应力试验，正是验证器件长期性能的关键手段。
为什么常规测试已不够用？
传统可靠性测试如HTRB（高温反偏）或温度循环，虽能筛选早期失效，却难以模拟器件在实际高频开关、电压突变、热冲击等复杂工况下的表现。尤其对于SiC MOSFET、高压IGBT等新一代功率器件，动态可靠性测试（如Dyn.HTRB、HTFB、TDDB）已成为评估其寿命与鲁棒性的必要补充。
常见可靠性测试类型对比
| 测试类别 | 典型项目 | 模拟场景 | 适用器件 |
|---|---|---|---|
| 环境应力试验 | H3TRB、HAST、温冲 | 高湿、高温、剧烈温度变化 | 所有分立器件 |
| 静态老炼 | HTRB、HTGB | 持续偏置下的长期稳定性 | MOS、IGBT、二极管 |
| 动态老炼 | Dyn.HTRB、HTFB、TDDB | 高频开关、栅极应力 | SiC/GaN、高压MOS、IGBT |
覆盖全品类分立器件的测试能力
我们支持以下器件的规模化可靠性验证：
- 二极管/三极管
- MOSFET（含SiC/GaN）
- IGBT
- TVS管、齐纳稳压管
- SBD（肖特基势垒二极管）
无论TO-220、TO-247等直插封装，还是DFN5×6、SOD-323等小型贴片封装，均可匹配专用老化板与夹具，确保测试精度与效率。
核心测试项目一览
环境应力试验（10项）
- H3TRB：高温高湿反偏（85°C/85%RH, Bias）
- HAST：高加速应力试验（130°C, 85%RH, 高压）
- UHAST：无偏置高加速应力
- Autoclave（PCT）：高压蒸煮（121°C, 100%RH）
- Temperature Cycling：-65°C ↔ +150°C
- Temp Shock（气-气/液-液）：快速热冲击
- 高温/低温存储：长期存储稳定性验证
动态与静态老炼（9项）
- HTRB / LTRB：高低温反偏
- HTGB / LTGB：栅极偏置老化
- Dyn.HTRB / Dyn.H3TRB：动态反偏（模拟开关应力）
- HTFB：正向工作老化（评估双极退化）
- TDDB：栅氧经时击穿（关键可靠性指标）
测试标准全覆盖
- JESD22 系列（JEDEC）
- MIL-STD-750（军用标准）
- AEC-Q101（车规分立器件）
- AQG-324（欧洲车规IGBT模块标准）
注：AEC-Q101虽未强制要求动态测试，但SiC MOSFET等新型器件强烈建议增加Dyn.HTRB、HTFB等项目，以验证其在高频工况下的可靠性。
常见问题解答
Q：工规器件该参考哪个标准？
A：工业级通常采用 JESD47 框架，具体项目可参照JESD22、MIL-STD-750或AEC-Q101，根据应用环境调整应力条件与样本量。
Q：测试周期多久？
- 常规可靠性：2个月内交付
- 定制化动态测试：2~4个月（依项目复杂度）
为什么选择规模化老炼？
小批量测试易受样本偏差影响，而千级甚至万级样本的规模化老炼，才能真实反映批次一致性、早期失效率（如“婴儿死亡率”），并为FMEA（失效模式分析）提供数据基础。这对车规、航天、工业电源等高可靠性领域尤为关键。
总结
在功率半导体国产化加速的今天，仅靠参数达标已不足以赢得客户信任。唯有通过系统化、贴近真实工况、覆盖全生命周期的可靠性验证，才能证明国产器件的长期稳定性。无论是满足AEC-Q101车规认证，还是支撑工业级产品的十年质保承诺，规模化老炼与动态可靠性测试都是不可或缺的一环。
深圳德恺专注于半导体器件可靠性验证，具备CNAS认可资质，可提供SBD、MOS、IGBT等分立器件的全项老炼、环境应力、动态可靠性测试服务。我们支持从方案设计、夹具开发到报告出具的一站式服务，助力国产芯片迈向高可靠应用。
