功率器件脉冲IV测试避免热效应

大功率IGBT和MOSFET在进行IV特性测试时,直流大电流会导致芯片发热,使数据失真。本文详解脉冲IV测试原理,如何通过微秒级脉冲避免自热效应,获取真实的器件特性。