在芯片制程迈入7nm乃至4nm时代，研发人员对材料微观结构的认知不能再停留在“大概”或“推测”层面。透射电子显微镜（Transmission Electron Microscopy, TEM），凭借其亚埃级分辨率与多功能分析能力，已成为半导体与先进材料研发不可或缺的核心工具。它不仅能“看见”原子，更能“读懂”材料的成分、缺陷与晶体结构——为性能优化与失效分析提供精准依据。
为何先进制程离不开TEM？
随着摩尔定律逼近物理极限，芯片结构日益复杂，FinFET、GAA等三维晶体管架构对界面控制、缺陷分布、掺杂均匀性提出极致要求。传统检测手段已无法满足纳米尺度下的精准表征需求，而TEM凭借以下能力成为研发“标配”：
- 原子级成像：直接观测晶格排列与界面结构
- 缺陷精准定位：识别位错、层错、空洞等关键缺陷
- 成分与价态分析：结合能谱（EDS）与电子能量损失谱（EELS）
- 晶体取向解析：通过衍射花样判断晶相与取向关系
我们提供哪些TEM检测能力？
成像模式全覆盖
| 模式类型 | 典型应用 |
|---|---|
| 明场像（BF） | 观察整体形貌与大尺度缺陷 |
| 高分辨像（HRTEM） | 原子级晶格成像，用于界面/异质结构分析 |
| 暗场像（DF / OAD / CBD） | 特定缺陷或相的高对比度成像 |
| 弱束暗场像（WBDF） | 高灵敏度位错分析 |
| STEM-HAADF | Z衬度成像，适用于重元素分布观察 |
| iDPC-STEM | 轻元素原子级成像（如氧、氮） |
多维分析技术集成
- EDS能谱：微区元素定性与半定量分析
- 选区电子衍射（SAED）：快速判断晶相与取向
- 会聚束电子衍射（CBED）：精确测定晶体对称性与应变
- 纳米束衍射（NBED）：适用于纳米颗粒或局部区域分析
服务覆盖哪些客户？
我们深度服务两大核心领域：
🖥️ 芯片产业链客户
- 晶圆代工厂（Foundry）
- 半导体设备与材料供应商
- 芯片设计公司（Fabless）
- 封装与失效分析实验室
🔬 材料科研客户
- 高校与科研院所
- 新型功能材料研发企业
- 能源、催化、纳米科技领域团队
快速响应，支持紧急研发节奏
- 常规周期：5–7个工作日
- 加急服务：3–5个工作日（适用于研发关键节点）
我们理解：在激烈的技术竞赛中，时间就是竞争力。因此，从FIB制样、TEM拍摄到数据分析，我们提供端到端高效交付。
为什么选择我们？
1. 7nm以下先进制程验证能力
具备FinFET、GAA等结构的FIB-TEM全流程分析经验，可处理4nm节点样品。
2. 高端设备保障精度
配备Thermo Fisher Talos F200X G2 TEM，支持高分辨成像、快速EDS mapping与iDPC技术。
3. 专家级技术团队
由资深TEM工程师与材料科学家组成，可针对复杂问题定制分析方案，不止于“拍图”，更提供深度解读。
4. 全流程服务闭环
从样品制备（FIB）、数据采集到报告撰写，一站式解决客户技术瓶颈。
典型应用案例速览
- 4nm FinFET结构HRTEM成像：清晰分辨Fin沟道、栅极堆叠与界面层，助力工艺优化。
- SrTiO₃异质结原子级STEM成像 + EDS mapping：同步获得原子排列与元素分布，揭示界面化学行为。
更多案例详见：《先进制程晶圆级FIB制样及TEM分析》《EDS能谱在半导体失效分析中的应用》
总结：TEM——微观世界的“终极眼睛”
在半导体国产化与新材料突破的双重驱动下，TEM已从“可选工具”升级为“战略资源”。它不仅提供图像，更提供可行动的科学洞察——帮助研发团队看清问题本质，加速技术迭代。无论是提升良率、解析失效，还是探索新物态，高精度TEM分析都是通往成功的关键一步。
深圳德恺专注于半导体与先进材料的微观结构分析，提供FIB-TEM、EDS、SEM、AFM等一站式检测服务。我们以专业设备、技术深度与快速响应，助力中国高科技企业突破“卡脖子”环节，赋能自主创新。如需TEM检测支持，请即刻联系我们。
